10 月14 日，士兰微发布公告，公司计划非公开发行股票募集资金65 亿元，其中30 亿元用于年产36 万片12 英寸芯片生产项目建设，7.5 亿元用于SiC 功率器件生产线建设项目建设，11 亿元用于汽车半导体封装项目（一期）建设，16.5 亿元用于补充流动资金。

    扩建晶圆和封装产线，为长期发展奠定基础：士兰微此次投建年产36 万片12 寸晶圆产线项目，达产后将新增年产12 万片FS-IGBT、12 万片TDPMOSFET、12 万片SGT-MOSFET 功率芯片产能；SiC 器件产线建设项目达产后将实现年产12 万片SiC-MOSFET 和年产2.4 万片SiC-SBD 6 寸晶圆产能；汽车半导体封装项目（一期）达产后将形成年产720 万块汽车级功率模块产能。

    我们认为，此次扩产是士兰微长远发展的重要一步，将为公司后续在IGBT、SiC和车规级功率模块领域的发展提供产能保障。

    IGBT、碳化硅和车规级封装稳步推进，长期成长空间进一步打开：近年来公司产能稳健增长，此次12 寸晶圆扩产将进一步提升公司IGBT 和MOS 晶圆产能。封装方面，公司目前已具备月产7 万只汽车级PIM 模块的生产能力，已经向比亚迪、零跑、汇川等下游厂商实现批量供货，当前国内汽车主驱模块供给仍然紧张，公司前瞻布局该领域，目前已成为国内IGBT 主驱模块主流供应商之一。

    碳化硅方面，公司目前已突破并掌握平面栅SiC MOSFET 和SiC SBD 关键技术。

    产品力稳健提升，后续有望迎来更快成长：士兰微凭借强劲的研发实力，上半年公司基于8 寸平台Trench 1200V IGBT 芯片，完成了10A-200A 全系列研发工作，对应IGBT 系列模块同步投放市场；第二颗SJ MOS 进入流片阶段，预计年底产出工程样品；碳化硅方面，公司SiC SBD 产品完成批量出货，SiC 1200V80mohm 系列产品实现量产，1200V 40mohm 产品将在今年第四季度推出。

    我们认为，公司当前产能规划更为合理，研发进展顺利，看好后续IGBT、SiC 等产品发展节奏。

    投资建议：我们预计2022-2024 年公司归母净利润为13.80/17.42/24.13亿元，同比增长-9.0%/26.2%/38.6%，当前市值对应PE 为33/26/19 倍，我们看好当前公司产能持续提升，高门槛产品占比提升，营收稳步增长，未来新市场开拓值得期待，维持“推荐”评级。

    风险提示：产能释放不及预期的风险；新产品营收增长不及预期的风险；行业景气度变化的风险。

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