6月12日，安森美发布第七代1200V QDual3绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块。与其他同类产品相比，该模块的功率密度更高，且提供高10%的输出功率。据介绍，该800安培QDual3模块基于新的场截止第七代(FS7)IGBT技术，应用于150千瓦的逆变器中时，QDual3模块的损耗比同类最接近的竞品少200瓦（W），从而缩减散热器尺寸，适合用于太阳能发电站中央逆变器、储能系统、商用农业车辆和工业电机驱动器等大功率变流器。  

（文章来源：证券时报）