要点一:所属板块 半导体 江苏板块 专精特新 沪股通 融资融券 预亏预减 QFII重仓 半导体概念 国产芯片

要点二:经营范围 光电子器件及系统的研究、开发、封装、销售;并提供相关技术咨询及技术服务;自营和代理各类商品及技术的进出口业务(国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)

要点三:半导体激光芯片的研发、设计及制造 公司聚焦半导体激光行业,始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造,主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等,逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。公司紧跟下游市场发展趋势,不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设生产线,已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵,为半导体激光行业的垂直产业链公司。

要点四:光电子器件制造 公司聚焦半导体激光细分行业,主营业务为半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造与销售。根据国家统计局发布的《国民经济行业分类》(GB/T4754-2017),公司所处行业属于门类“C制造业”中的大类“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”中“C3976光电子器件制造”,指利用半导体光—电子(或电—光子)转换效应制成的各种功能器件制造。

要点五:核心技术优势 公司核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域,包括器件设计及外延生长技术、FAB晶圆工艺技术、腔面钝化处理技术以及高亮度合束及光纤耦合技术等。公司通过非对称的波导结构设计,让有源层更靠近p型限制层,且p型限制层的折射率大于n型限制层,在不改变光场模式曲线的情况下,实现对有源层光场限制因子及内部损耗的独立优化。采用大光腔结构,改善了近场模式和远场输出特性;增大发光面积,相对减小输出光功率密度,在增加输出功率的同时保证器件寿命。

要点六:产品指标优势 公司自成立以来,始终专注高功率半导体激光芯片的研发与生产,目前商业化单管芯片输出功率达到35W,巴条芯片连续输出功率达到250W(CW),准连续输出1000W(QCW),VCSEL芯片的最高转换效率60%以上,产品性能指标与国外先进水平同步,打破国外技术封锁和芯片禁运,逐步实现了半导体激光芯片的国产化。另外,在激光器件封装、光束整形、合束耦合、直接半导体激光系统等领域拥有丰富的产品研制与生产经验,成功开发了多款光纤耦合模块及直接半导体激光器等产品。

要点七:研发及制造工艺平台优势 公司已建成3吋、6吋半导体激光芯片量产线,拥有了一套从外延生长、晶圆制造、封装测试、可靠性验证相关的设备,并突破了晶体外延生长、晶圆工艺处理、封装、测试的关键核心技术及工艺。目前3吋量产线为半导体激光行业内的主流产线规格,而6吋量产线为该行业内最大尺寸的产线,相当于是硅基半导体的12吋量产线。大部分工艺环节达到了生产自动化,实现了高功率半导体激光芯片的研制和批量投产,芯片功率、效率、亮度等重要指标达到国际先进水平。公司采用IDM模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售,掌握半导体激光芯片核心制造工艺技术关键环节,已建成3吋及6吋半导体激光芯片量产线,构建了GaAs(砷化镓)和InP(磷化铟)两大材料体系,建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台,具备各类以GaAs(砷化镓)和InP(磷化铟)为衬底的半导体激光芯片的制造能力。

要点八:自愿锁定股份 自公司股票上市之日起三十六个月内,不转让或者委托他人管理本次发行前本人直接及间接持有的公司股份,也不由公司回购本人直接及间接持有的该部分股份。

要点九:股利分配 在满足现金分红条件的基础上,结合公司持续经营和长期发展,公司每年以现金方式分配的利润不少于当年实现的可分配利润的10%,且最近3年以现金方式累计分配的利润不少于最近3年实现的年均可分配利润的30%。

要点十:稳定股价措施 公司首次公开发行股票并上市后三年内,如公司股票收盘价格连续20个交易日低于最近一期经审计的每股净资产,公司将通过控股股东增持股份、公司全体董事(独立董事除外)和高级管理人员增持公司股票以及公司回购股份等措施来稳定股价。