东微半导发布2021年年报：实现营业收入7.82亿元，同比增长153.28% ， 实现归母净利润为1.47 亿元， 同比增长430.66%，实现扣非后归母净利润1.41 亿元， 同比增长588.67%。

    　　投资要点

    　　IGBT首度量产出货，盈利能力大幅提升

    　　细分产品来看，2021年公司超级结MOS/屏蔽栅MOS/超级硅MOS/IGBT分别实现营收5.7亿元（同比+128.27%）/2.06亿元（同比+246.85%）/215万元（同比+432.63%）/568万元（首次量产出货）；毛利率方面，2021年公司整体毛利率为28.72%（同比+10.87pct），盈利能力大幅提升；期间费用方面，2021年期间费用率（不含研发）为2.14%（同比-1.72pct），其中销售费用率为0.96%（同比-0.68pct），管理费用率1.94%（同比-0.17pct），财务费用率-0.76%（同比-0.86pct）。

    　　持续加大研发投入，产品矩阵进一步丰富

    　　2021年公司研发投入同比增长159.07%达到0.41亿元，目前公司共计拥有产品规格型号1790余款，包括高压超级结MOS（含超级硅MOS）1100款，中低压SGT641款，IGBT52款。

    　　2021年公司各产品线进展情况：

    　　高压超级结MOS：第四代GreenMOS高压超级结研发成功，预计2022年开始批量供货；基于深沟槽超级结技术的中低压超级结MOS开发顺利进行，1000V以上高压超级结MOS开发成功具备量产能力；基于12寸先进工艺制程的高压超级结MOS进入大规模稳定量产，进入大量工业应用领域；基于12寸制程的下一代超级结MOS开发顺利进行。

    　　中低压屏蔽栅MOS：25V-30V低压超高速屏蔽栅MOS开发成功并量产，为拓展数据中心电源服务器CPU供电芯片打下基础；150V屏蔽栅MOS开发成功并量产，200V与250V电压规格开发顺利进行；继续拓展基于12寸先进工艺制程的屏蔽栅MOS平台，形成多个电压平台的规格并实现量产。

    　　超级硅MOS：第二代超级硅功率MOS开发成功，已展开第三代超级硅MOS的开发。

    　　Tri-gate IGBT：基于自主专利技术的650V、1200V及1350V新一代IGBT器件技术TGBT研发成功并实现量产出货，第一代TGBT达到国际主流第七代IGBT技术水平，第二代TGBT技术开发顺利进行，基于12寸先进工艺制程的IGBT开发顺利进行。

    　　深耕工业/汽车级领域，强大全球终端客户基础2021年公司在汽车及工业级领域收入占比超过60%，其中新能源汽车充电桩领域占比逾20%，较上年同期增长约190%；各类工业及通信电源领域占比逾10%，较上年同期增长逾140%；逆变器领域占比约5%，较上年同期增长逾200%；车载充电机领域占比约5%，约为上年同期收入水平的10倍。

    　　公司已在全球范围内积累众多知名终端品牌客户：新能源汽车电桩领域用户包括英可瑞、英飞源、特锐德、永联科技、盛弘股份、优优绿能等；新能源车载充电机及光伏领域用户包括比亚迪、英搏尔、英威腾、昱能科技、禾迈股份、宁德时代等；5G基站电源及通信电源领域用户包括维谛技术、麦格米特等；工业电源领域用户包括高斯宝电气、金升阳、深圳雷能、通用电气等；消费电子领域用户包括OPPO、视源股份、海尔集团、美的集团、创维集团、康佳等。

    　　此外，公司积极开拓海外市场，目前在欧洲市场进展良好，送测认证电动工具、车载充电机、工业电源、工业控制、家电相关、工业照明等领域。

    　　盈利预测

    　　预测公司2022-2024年收入分别为11.77、16.33、21.30亿元，EPS分别为3.81、5.12、6.67元，当前股价对应PE分别为41、31、24倍，维持“推荐”投资评级。

    　　风险提示

    　　行业景气度下行风险、募投项目进展不及预期风险、新产品进度不及预期风险、行业竞争加剧风险、海外政策变化的风险等。

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