国内超级结MOSFET 设计领军者，IGBT 拓宽长期成长空间东微半导是国内领先的技术驱动型半导体设计公司，主营高压超级结和中低压屏蔽栅MOSFET（21 年营收占比72.7%/26.3%）的设计和销售，以及通过独立知识产权Tri-gate 器件结构的创新型IGBT 拓宽长期成长空间。产品主打工业、汽车级应用，广泛应用于直流充电桩、工业及通信电源、新能源汽车、光伏逆变器等领域，下游客户包括华为、英飞源、比亚迪、麦格米特、维谛技术、视源股份等各领域头部企业。在技术、产品、供应链三大竞争力下，我们预计公司22/23/24 年归母净利润同比增长72.71%/37.97%/30.14%至2.54/3.50/4.56 亿元，对应EPS 3.77/5.20/6.76 元。基于57.7x 23 年PE（较Wind 一致预期行业23 年平均的41.1x 溢价，基于公司较好的产品组合、高业绩成长性等优势），首次覆盖给予目标价300 元和买入评级。

    　　新能源领域超级结MOSFET 市场快速增长，三大核心竞争力稳固龙头地位受益于新能源汽车加速渗透，我们测算2021-25 年全球充电桩、新能源汽车超级结MOSFET 市场规模CAGR 分别为34.9%/30.8%，处于高速增长阶段。作为超级结MOSFET 国产替代先锋，我们认为东微三大核心竞争优势将助力其把握超级结MOSFET 中的高成长性细分领域，并不断稳固龙头地位：1）料号丰富，21 年底公司MOSFET 料号数达1,791 款。产品优值及性能比肩英飞凌，领先国内竞争对手；2）研发团队实力雄厚，21 年人均创收逾千万行业领先；3）受益于核心供应商华虹的12 寸产能持续扩张，并积极开拓广州粤芯、DB Hitek 等供应商保障产能。

    　　IGBT 市场空间广阔，TGBT 业务打造第二成长曲线在超级结MOSFET 市场规模相对有限的情况下，公司凭借卓越的设计能力进军IGBT 市场。根据Omdia 和我们的测算，2025 年全球IGBT 市场规模为超级结MOSFET 市场规模约10 倍。公司第一代650V 创新型TGBT 芯片电流密度达国际主流第七代IGBT 水平。TGBT 产品已于21 年在光伏逆变器、储能、充电桩等领域获得客户批量应用，且有大量优质客户处于送测认证中。凭借出色的产品性能，我们认为TGBT 业务将为公司打开长期成长空间，预计该业务营收占比将由21 年的0.7%快速提升至24 年的16.5%。

    　　首次覆盖给予“买入”评级，目标价300 元

    　　我们认为公司MOSFET 业务营收将维持较高增速的同时，受益于其下游客户加速导入，22 年TGBT 业务将实现跨越式发展，预计22/23/24 年营收为11.13/15.50/21.21 亿元，归母净利润为2.54/3.50/4.56 亿元，对应EPS 为3.77/5.20/6.76 元。考虑到功率半导体板块估值较高主要反映市场对其未来高成长性预期，给予公司57.7x 23E PE（较行业平均的41.1x 溢价），对应目标价300 元，首次覆盖给予“买入”评级。

    　　风险提示：半导体周期下行；新能源车、充电桩、5G 等需求不达预期风险。

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