一、事件概述

    　　4 月29 日，公司发布2020 年一季报：营收8.1 亿元，同比增长77%，归母净利润1.7亿元，同比增长323%，扣非后归母净利润1.5 亿元，同比增长369%；经营活动现金净流量为-0.71 亿元，同比-306%；基本EPS 为0.53 元，同比273%。

    　　二、分析与判断

    盈利能力大幅提升，研发投入加大

    　　Q1 毛利率为40.9%，同比+2.4pct；净利率为20.8%，同比+12.2pct；ROE 为3.2%，同比+1.1pct；销售期间费用率20%，同比-8.8pct，销售/管理/财务费用率下降；预付款项2885 万元，同比272%，预付供应商货款增加；存货7.9 亿元，同比增长26%，物流受限等导致存货周转速度环比下降；研发费用1.1 亿元，同比增长65%，研发重点投向DRAM、闪存、MCU 等；无形资产3.3 亿元，同比增长48%，因增加投资北京京存技术、增加研发用非专利技术、研发项目转为无形资产。

    消费类、物联网景气度较高，产品结构持续优化NOR Flash 产品出货量持续增长，55nm 大容量高性能产品占比持续提升，公司针对物联网、TWS 等消费市场推出系列低功耗宽电压产品，同时积极拓展5G、汽车、工控、医疗等领域，NOR 市场份额持续提升，目前份额排名全球第四；NAND Flash 持续研发24nm 新产品，与主流工艺节点差距缩小；MCU 百货商店计划实施顺利，客户数量拓展超过2 万家，基于Cortex-M23 内核的高集成度MCU 新品持续发布，受益物联网、工控、智能终端景气度较高；思立微的LCD 屏下光学指纹、超小封装透镜式光学指纹、超薄光学指纹以及大面积TFT 光学指纹等新产品陆续出货，收购整合较为顺利。

    定增获得核准通过，获得蓝铂世DRAM 专利授权将提升技术实力公司拟定增募资不超过43.24 亿元，投向DRAM 项目，重点研发1Xnm 级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM 技术，计划开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4 系列 DRAM芯片。长鑫存储已推出DDR4、LPDDR4X 内存芯片以及DDR4 模组，具备高速传输、低功耗、可靠性高等优点，产品已经获得国内外客户认可。DDR4 为首颗国产芯片，该芯片可应用于PC、笔电、服务器等领域。2020 年4 月，长鑫存储与美国蓝铂世签署专利许可协议，将获得蓝铂世大量DRAM 专利技术的实施许可。定增获得核准通过，布局DRAM 将完善存储版图，多方合作将有望提升技术实力，有望填补国内DRAM 空白。

    　　三、投资建议

    　　公司是全球领先的存储器芯片及MCU 供应商，受益半导体自主可控趋势，同时是国家存储芯片战略平台之一。预计20/21/22 年净利润分别为11.2 亿/14.1 亿/17.4 亿元，对应PE 分别为80X/63X/51X。参考SW 半导体行业PE 估值为141 倍，维持“推荐”评级。

    　　四、风险提示：

    　　 1、下游需求下滑；2、对外合作不及预期；3、新产品量产不及预期；4、研发放缓。

更多精彩大盘资讯敬请期待！