全年营收同比保持平稳，综合毛利率同比小幅下滑。东芯股份于近期发布2022 年度报告，全年实现营业收入11.46 亿元，同比2021 年小幅增长1.03%。公司2022 年实现归属上市公司股东净利润 1.85 亿元，同比减少29.17%，扣除非经常性损益后净利润为1.65 亿元，同比减少35.42%。其中，公司2022 年Q4 单季度实现营收1.98 亿元，同比降低43.22%，环比降低15.27%；Q4 归母净利润为 -0.86 亿元，产生亏损。公司2022 年度综合毛利率为40.58%，同比小幅度降低1.54pcts。

    　　持续推进新品开发，加大研发投入。公司SLC NAND Flash 量产产品以中芯国际38nm、24nm，力积电28nm 制程为主，在2xnm 制程上持续开发新产品，不断扩充SLC NAND 产品线，部分新品已达量产标准。

    　　先进制程方面公司1xnm NAND 产品已完成首轮晶圆流片及首次晶圆制造，并已完成功能性验证。NOR Flash 方面，公司产品在力积电48nm制程上持续推进更高容量新品开发，目前512Mb、1Gb 等大容量 NORFlash 产品均已有样品可供客户。此外，公司在中芯国际55nm 制程的 NOR Flash 产线已完成首次晶圆流片。DRAM 方面，公司将持续开发更先进工艺制程的 DRAM 产品，进一步扩大公司存储器产品的种类与规模。2022 年公司研发费用1.10 亿元，占营收比例为9.63%，同比提升3.03pcts。

    　　产品结构不断优化，拓展多元化市场。公司持续优化产品结构，积极扩大产品线布局，形成完整的NAND、NOR、DRAM 及MCP 产品供应链。

    　　公司SLC NAND 产品品类丰富、功耗低、可靠性高，产品使用温度范围在-40℃-105℃，部分已通过AEC-Q100 验证；SPI NOR Flash 存储容量覆盖 64Mb-1Gb，符合-40℃-85℃/105℃工规标准，支持多种数据传输模式，已完成从65nm 至48nm 制程推进；公司DDR3（L）具有高带宽、低延时等特点，广泛用于通讯设备、移动终端等领域，LPDDR1、LPDDR2 系列产品适用于智能终端、可穿戴设备等产品，而在研的LPDDR4x 及PSRAM 产品均已为客户送样，可用于基带市场和模块类客户。公司将聚焦高附加值产品，大力发展比传统消费电子类存储芯片要求更高的车规级存储芯片，实现车规级闪存产品产业化目标。

    　　我们预计 2023/2024/2025 年公司营业收入分别为14.03/19.09/23.01 亿元， 归母净利润分别为2.90/4.15/5.36 亿元， 对应 EPS 分别为0.65/0.94/1.21 元，当前股价对应PE 分别为59.81/41.71/32.39 倍，给予增持评级。

    　　【风险提示】

    　　新产品研发进度与量产不及预期；

    　　车规级产品需求不及预期；

    　　客户认证与拓展不及预期。

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