近日，天岳先进在Semicon China 展会阐述8 英寸碳化硅衬底最新技术动态，受业内高度关注。公司CTO 高超博士在同期举办的功率及化合物半导体产业国际论坛公开天岳先进最新进展。

    　　产品+产能+订单+技术，稳固天岳先进基本盘。产品方面，公司以6 英寸导电型碳化硅衬底为主，满足全球客户需求。产能方面，公司上海临港工厂已经进入产品交付阶段，持续发力提升6 英寸衬底产量；晶体质量及厚度持续提升，规模化生产衬底质量稳定可靠。订单方面，2022 年公司与行业内多家汽车电子、电力电子器件等领域知名客户签署长期协议（包括已经披露13.96 亿元重大合同），为公司后续销售持续增长提供动力。技术方面，布局液相法多年，过热场、溶液设计及工艺创新突破部分碳化硅生长难题；在大尺寸单晶高效制备方面，采用公司最新技术制备的晶体厚度已突破60mm；通过自主扩径技术制备的高品质8 英寸产品，目前也已具备产业化能力。

    　　深耕液相法，突破碳化硅单晶高质量生长界面控制及缺陷控制难题。液相法选用石墨材料作为坩埚，同时将其作为碳源，在石墨坩埚中填充硅熔体。将SiC 晶种放置在石墨坩埚顶部，与熔体接触，控制晶种温度略低于熔体温度。利用温度梯度作为生长驱动力来实现晶体生长。生长一般在惰性气体环境中进行（如Ar），生长温度在1750-2100℃之间。为提高晶体生长速率，在生长过程中可调节石墨坩埚和种子晶体旋转方向及旋转速度。通过液相法获得均匀且高品质晶体需要对温场及流场进行控制，具有较高技术难度，天岳先进在该技术上布局多年。近日，公司采用液相法制备出低缺陷8 英寸晶体，通过热场、溶液设计及工艺创新突破碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题，尚属业内首创。

    　　三大优势有望助力液相法成为SiC 晶体生长新突破点。（1）位错密度低：采用液相法生长可大幅度降低生长温度，减少从高温状态降温冷却过程中由于热应力导致的位错，有效抑制生长过程中位错产生；（2）液相法生长SiC 可通过放肩技术相对简单进行扩径生长；（3）可以获得p 型晶体：液相法由于生长气压高，温度相对较低，在该条件下Al 不容易挥发而流失，且液相法助熔液中增加Al 可较容易获得高载流子浓度p 型SiC 晶体。

    　　投资建议：我们公司预测2023 年至2025 年营业收入分别为10.83/15.15/19.54 亿元，增速分别为159.8%/39.9%/28.9%；归母净利润分别为0.14/1.12/2.03 亿元，增速分别为107.9%/704.7%/81.6%。考虑到天岳先进为国内碳化硅衬底稀缺性标的，且为国内同时大规模量产导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底领军企业，叠加第三代半导体渗透率逐步提升，维持“增持-A”建议。

    　　风险提示：技术迭代和研发投入不及预期风险；产能产量提升不及预期风险；碳化硅衬底成本高昂制约下游应用发展风险。

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